金融界2024年7月28日消息，天眼查知识产权信息显示，山东华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法“，公开号CN3.7，申请日期为2024年4月。

　　专利摘要显示，本发明涉及一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法，属于大功率半导体激光器电镀金电极技术领域。本发明大功率激光器的待镀金区域为薄金种子层，非镀金区域为纳米级SiO2绝缘层，代替了较厚的光刻胶绝缘层，从而降低电镀后大功率半导体激光器图形化的偏离度，改善纵向发散角；同时，此方法为全覆盖TiPtAu种子层，无需剥离去除非镀金区上的TiPtAu种子层，在非镀金区上生长纳米级SiO2绝缘层，保证了整个晶圆的导电性一致，镀层均匀性稳定在10％内，有利于大功率半导体激光器的焊线封装。此方法也避免了碱性电镀液中光刻胶的溶解，避免了电镀液的污染和电镀镀层的污染，大大提高了镀层金属良率和电镀液的利用率。

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